第314章 顺势起飞

  而合成效率的关键在於每束光的相位控制精度，这恰好是谱域对消框架最擅长做的事。

  越想方法越多，肖宿埋头，在草稿纸上飞快地画著示意图。

  在掩模的上方是一个环形阵列的自由电子雷射器出射口，每束光经过独立的光程补偿器和波前整形器，再通过一个共同的物镜系统匯聚到晶圆表面。

  光程补偿器的控制信號由一个实时的波前传感器阵列反馈，反馈算法用的就是扩展后的谱域对消框架。

  整个系统里没有euv光源那种效率极低的锡等离子体过程，也没有193纳米浸没式光刻那种需要反覆曝光、反覆对准的多重曝光流程，將会节省更多的时间，成像质量也会隨之上升。

  单次曝光的解析度理论上可以推到接近光源波长的衍射极限，而自由电子雷射器的波长是可以连续调谐的，从深紫外一路调到软x射线都没问题。

  他把这套新架构从头到尾推了一遍，从光源阵列的排布拓扑到波前协同控制的核心算法，再到工件台的全局定位误差补偿策略，每一步的数学骨架都写在了纸上。

  推完之后他没耽搁，隨手把草稿纸上的內容整理归纳，改成了一份正式文档。

  《基於自由电子雷射器阵列与全局协同优化的新型光刻系统设计方案》

  “现有193nm浸没式光刻的瑞利解析度极限为r=k1λna，其中k1≈0.25为工艺因子，na≤1.35，可得r≈38nm。极紫外（euv）光刻虽將波长缩短至13.5nm，但其锡等离子体光源的能量转换效率η=peuv/plaser≈2%～5%，且多层鉬硅反射镜的反射率r≤70%，导致有效光功率不足……”

  他先在摘要的部分简要说明了一下现有光刻技术在光源效率和子系统协同两个维度上的瓶颈，以及新方案如何通过多束相干合成和异构耦合全局优化来绕开这些瓶颈。

  正文部分则是按光源阵列设计、波前协同控制、全局耦合优化、工件台动態补偿这四个章节依次展开，每一章都附了相应的数学推导和参数边界估算。

  整份文档不算长，但信息密度很高。

  写完之后他把这份文档和之前那篇隱身衣的论文草稿一起打包，把高长安叫了进来。

  高长安敲门进来的时候，肖宿正把两份材料从印表机里拿出来。